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A Product Line of
Diodes Incorporated
ZVP1320F
Electrical Characteristics @T A = 25°C unless otherwise specified
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Condition
OFF CHARACTERISTICS (Note 6)
Drain-Source Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage Drain Current T J = 25°C
Gate-Source Leakage
On-State Drain Current
BV DSS
I DSS
I GSS
I D(on)
-200
-
-
-100
-
-
-
-
-
-1
-20
±20
-
V
μA
nA
mA
V GS = 0V, I D = -1mA
V DS = -200V, V GS = 0V
V DS = -160V, V GS = 0V, T A = 125°C
V GS = ±20V, V DS = 0V
V GS = -10V, V DS = -15V
ON CHARACTERISTICS (Note 6)
Gate Threshold Voltage
Static Drain-Source On-Resistance
Forward Transconductance
V GS(th)
R DS (on)
g fs
-1.5
-
25
-
-
-
-3.5
80
-
V
Ω
mS
V DS = V GS , I D = -1mA
V GS = -10V, I D = -50mA
V DS = -15V, I D = -50mA
DYNAMIC CHARACTERISTICS (Note 6)
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-On Delay Time
Turn-On Rise Time
Turn-Off Delay Time
Turn-Off Fall Time
C iss
C oss
C rss
t D(on)
t r
t D(off)
t f
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
50
15
5
8
8
8
16
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V DS = -25V, V GS = 0V,
f = 1.0MHz
V DS = -25V, I D = -50mA
Notes:
6. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.
ZVP1320F
Document number: DS33391 Rev. 4 - 2
4 of 8
www.diodes.com
January 2012
? Diodes Incorporated
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